Strukturierung von Halbleitermaterialien mit atomarer Präzision
Forscher nutzen Helium-Ionen-Mikroskopie zur Konstruktion atomarer Defekte in Molybdändisulfid (MoS2)
![Links: Optisches Mikroskopiebild von einschichtigem Molybdändisulfid mit der gewünschten Helium-Ionen-Struktur. Weiße Quadrate zeigen Bereiche mit konstanter Helium-Ionen-Dosis, die weißen Kreise stellen einzelne HIM-erzeugte Punktdefekte dar. Rechts: Fotolumineszenz-Karte des HIM-bestrahlten Bereichs, dargestellt durch das schwarze Rechteck (links). Schwarze Bereiche zeigen keine Defekt-Lumineszenz, grüne und blaue Bereiche stellen Defekt-Lumineszenz dar. Die Position der defektabhängigen Emission stimmt mit der räumlichen Position der von Helium-Ionen erzeugten Defekte komplett überein. Messungen von K. Barthelmi and L. Sigl (TUM).](https://blogs.zeiss.com/microscopy/news/de/wp-content/uploads/sites/4/2020/12/Single-Layer-MoS2-With-Desired-Helium-Ion-Pattern-1-1024x613-1.png)
In einer Reihe jüngster Publikationen in Nature Communications und in Nano Letters nutzte ein Team des WSI unter der Leitung von Prof. Holleitner und Prof. Finley die Helium-Ionen-Mikroskopie, um in zweidimensionalen Materialien, wie dem Halbleiter Molybdändisulfid (MoS2), atomare Defekte zu konstruieren. Wir sprachen im Interview mit Prof. Holleitner und Elmar Mitterreiter, einem Mitglied seines Teams und Co-Autor der Publikationen, über ihre Arbeit.